Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (3)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Dobrozhan O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Dobrozhan O. A. 
Optical Losses of Thin Solar Cells on the Basis of n-ZnS / p-CdTe and n-CdS / p-CdTe Heterojunctions [Електронний ресурс] / O. A. Dobrozhan, T. O. Berestok, D. I. Kurbatov, A. S. Opanasyuk, N. M. Opanasyuk, V. F. Nefedchenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 4. - С. 04NEA16-04NEA16. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_4_69
Попередній перегляд:   Завантажити - 493.769 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Dobrozhan O. A. 
Structural and microstructural properties of ZnO thin films obtained by spray pyrolysis technique [Електронний ресурс] / O. A. Dobrozhan, A. S. Opanasyuk, S. B. Bolshanina // Праці Одеського політехнічного університету. - 2013. - Вип. 3. - С. 173-179. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Popu_2013_3_34
Методами дифрактометрії та скануючої електронної мікроскопії досліджені плівки оксиду цинку, одержані методом спрей-піролізу за різних температур підкладки зі скла. Як вихідний прекурсор використано дигідрат ацетату цинку, розчинений в дистильованій воді, що мав концентрацію 0,3 М. Досліджено вплив температури підкладки на розміри кристалів, фазовий склад, якість текстури, розміри областей когерентного розсіювання плівок, період кристалічної гратки матеріалу. Результати досліджень можуть бути використані під час розробки функціональних шарів тонкоплівкових сонячних елементів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.274 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Dobrozhan O.A. 
Recombination Losses in Solar Cells Based on n-ZnS(n-CdS) / p-CdTe Heterojunctions [Електронний ресурс] / O.A. Dobrozhan, A. S. Opanasyuk, V.F. Nefedchenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2014. - Vol. 3, no. 2. - С. 02NEA06-02NEA06. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2014_3_2_42
Попередній перегляд:   Завантажити - 635.473 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Diachenko O. V. 
Efficiency Modeling of Solar Cells Based on the n-Zn1-xMgxO / p-SnS Heterojunction [Електронний ресурс] / O. V. Diachenko, O. A. Dobrozhan, A. S. Opanasyuk, D. I. Kurbatov, V. V. Grynenko, S. V. Plotnikov // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03024-1-03024-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_26
Визначено рекомбінаційні й оптичні втрати в допоміжних і поглинаючому шарах фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії на основі гетеропереходу (ГП) n-MgxZn1-xO/p-SnS (x = 0; 0,3; 1) зі струмознімальними прозорими фронтальними контактами AZnO та ІТО. Одержаніоспектральні залежності коефіцієнта пропускання світла сонячними елементами (СЕ), враховуючи відбиття світла від меж поділу контактуючих шарів матеріалів, а також його поглинання в допоміжних шарах приладів. Визначено квантовий вихід досліджуваних структур фотоперетворювачів. Досліджено вплив рекомбінаційних і оптичних втрат в СЕ з конструкцією ITO(AZnO)/MgxZn1-xO/SnS на струм короткого замикання за різної товщини віконного шару MgxZn1-xO (25 - 400 нм) та сталій товщині струмознімальних шарів AZnO і ІТО (100 - 200 нм). Розраховано ккд структур для випадку напруги холостого ходу Uxx, знайденої з енергетичних діаграм переходів та взятої з літературних даних. Встановлено, що в першому випадку СЕ можуть мати ефективність, яка зростає у разі збільшення вмісту Mg у твердому розчині від 4,91 % (ГП ZnO/SnS) до 10,8 % (ГП MgO/SnS). У другому випадку найбільші значення ефективності (<$Eeta~=~11,62~%>) мають СЕ на основі ГП ZnO/SnS зі струмопровідним контактом AZnO. Прилади на основі ГП Mg0,3Zn0,7O/SnS та MgO/SnS, показують значення ккд 5,97 та 5,84 % відповідно. Матеріал верхнього струмопровідного контакту слабко впливає на ефективність СЕ. Одержані результати надають змогу визначити максимальне значення ефективності розглянутих СЕ з урахуванням рекомбінаційних та оптичних втрат в шарах фотоперетворювачів та провести онтимізацію параметрів реальних приладів з метою досягнення цих значень ккд.
Попередній перегляд:   Завантажити - 488.162 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського